슬기로운 공대생활 (39) 썸네일형 리스트형 Diode Diode란: 한쪽방향으로 전류가 흐를 수 있도록 제어하는 반도체소자Diode의 종류1. 정류 다이오드: 전류가 역방향으로 흐르지 못하게 하는 역할 (at 0.7V)• ESD 정전기 2. 제너 다이오드 (정전압 다이오드): 역방향 바이어스를 이용하여 일정 전압 유지 3. 쇼트키 다이오드• 고주파 특성이 좋음(고속 스위칭)• P형 반도체 대힌 금속을 결합• 디지털에 쇼트키 다이오드가 쓰인다 (at 0.2V - forward bias) 4. LED (발광 다이오드)• 전자를 들뜨게 함으로써 빛을 방출 5. TVS(Transient Voltage Supression)• 과도전압억제 다이오드, 일시적인 과전압 흡수활용🍏 ESD(Electro-Static Discharge), 정전기 방전- 전자기 유도 현상으.. BJT - 소신호 특성 Small Signal Characteristics교류신호 특성 • $C_{obo}$ : Output Capacitance- 공통 base의 출력 capacitance- 마지막 알파벳 o는 output OPEN을 의미한다- 반대로 만약 s가 들어갔다면? output Short를 의미 : 출력의 cap.을 잴려면 당연히 short시키면 안된다 • $C_{ibo}$ : Input Capacitance- 공통 base의 입력 capacitance • $h_{fe}$ : 소신호 전류 Gain- frequency가 1.0kHz일때 Gain은 50~200- frequency가 100MHz일때 Gain은 2.5- 주파수가 올라가면 gain은 매우 낮아진다. 왜냐면 기생커패시턴스와 캐리어 전달 지연으로 인해 고주파 신.. BJT - ON/OFF 특성 ON/OFF 특성 (DC)OFF 특성세 단자 중 하나는 OFF 시켜놓고 작동시킬 때의 특성 [용어설명]• $V_{(BR)CBO}$ : Collector-Base Breakdown Voltage- 에미터를 OFF 시켜놓았을 때 컬렉터와 베이스 사이에 흐르는 역방향 breakdown 전압 - $V_{CBO}$ 와 같은 값 • $I_{CBO}$- 에미터를 OFF 시키고 C와 B 사이에서 역방향으로 흐르는 최대전류 - max값이 50nA; 매우 작은 값- 차단전류 • $I_{EBO}$- 컬렉터를 OFF 시키고 E와 B사이에서 역방향으로 흐르는 최대전류- $V_{EB}$ 3V에서 검증한 이유는 $V_{(BR)EBO}$ 가 5V로 매우 작기 때문임ON 특성• $h_{FE}$ : DC에 대한 전류 증폭률 (=$\be.. BJT - 절대최대정격과 열 특성 절대 최대 정격 (Absolute Maximum Ratings)[용어설명]• $V_{CEO}$ 30 : B를 오픈시킨 채로 C와 E사이에 걸리는 전압이 40 이상이면 이 소자는 죽는다• $V_{CBO}$ 40 : E를 오픈시킨채로 C와 B사이에 걸리는 역방향 전압이 30 이상이면 이 소자는 죽는다• $V_{EBO}$ 5 : C를 오픈시킨채로 E와 B사이에 걸리는 전압이 5 이상이면 이 소자는 죽는다 * $V_{CEO}$ 와 $V_{CBO}$에 비해서 $V_{EBO}$는 매우 낮다. 이는 위 그림에서 보이듯 C 부분은 매우 두껍기 때문에 높은 전압까지도 견딜 수 있는데, E는 매우 얇기 때문에 높은 전압을 견디기 힘들다는 구조적인 이유 때문이다. • $T_{J}$, $T_{stg}$ : 온도 특성. 이 소.. MOSFET (작성중)BJT와 MOSFET의 비교 BJTFET기본동작원리전류로 전류를 제어전압(전계)로 전류를 제어반송자 종류- Bipolar 소자(양극성)- 자유전자와 정공이 모두 전도 현상에 참여- unipolar 소자(단극성)- 자유전자와 정공 중 하나만이 전도 현상에 참여단자의 명칭- Base/Emitter/Collector- Gate/ Source/ Drain장점- 스피드가 빠르다- 전류 용량이 크다- 입력 임피던스가 크다- 온도에 덜 예민하다- 제조가 간편하다: IC제조에 용이- 동작 해석의 단순 (unipolar)소자의 구분- NPN- PNP- N channel- P channel LED LED의 원리LED는 Diode의 일종으로, 순방향 전압을 걸어줬을 때 P type 반도체와 N type 반도체의 정공과 전자가 결합하면서 에너지를 생성하고, 이 에너지가 빛의 형태로 방출되는 것이다.LED 회로 구현 시 고려해야 할 요소들Threshold Voltage (문턱 전압): LED가 빛을 방출하기 시작하는 데 필요한 최소 전압 • LED 소자는 반도체 소재로 이루어져 있으며, 전압이 특정 값(문턱 전압)이상으로 올라가야 전류가 흐르고 빛을 방출한다.• 이 값은 LED의 소재(예:GaAs, GaN 등)와 밴드갭 에너지에 의해 결정됨• 일반적으로 0.7~3V 범위에서 나타나며, 소재 및 색상에 따라 다르다 (요즘에는 0.7보다 더 낮은 것도 있다) ◆ 물리적 의미• 반도체 PN접합에서 전자가 전.. BJT - 정특성(Static Characteristic) Static Characteristic트랜지스터 소자 특성 자체의 특성 (캐패시턴스나 전원 등을 연결하지 않은) 왼쪽 그래프는 NPN BJT의 특성그래프이다.$V_{CE}$가 6V로 고정되어있을 때, $V_{BE}$를 점점 올리면 $V_{BE}$가 0.6V일 때 $I_C$에 전류가 흐르기 시작하면서 Turn ON이 된다.(0.6V 이하일 때 $I_C$에서는 NP 부분에서 역방향 바이어스가 걸리기 때문에 전류가 안 흐른다)BJT의 동작모드동작모드베이스-이미터 접합베이스-컬렉터 접합동작차단(cut-off) 모드역방향 바이어스역방향 바이어스개방 스위치활성(active) 모드순방향 바이어스역방향 바이어스증폭기포화(saturation) 모드순방향 바이어스순방향 바이어스도통 스위치역활성(reverse active).. BJT (Bipolar Junction Transistor) 트랜지스터는 BJT와 FET로 나눌 수 있다.BJT (Bipolar Junction Transistor)양극성 접합 트랜지스터 [종류]1. NPN type2. PNP type [트랜지스터의 동작영역] 1. Active Mode (활성 영역)2. Saturation (포화 영역)3. Cut-off (차단 영역) * Active mode의 경우 BJT를 증폭기로 활용하기 위한 조건이고, saturation이나 cut-off는 스위칭 등으로 활용되는 영역이다BJT 직류 바이어스 걸어주는 법 (Active Mode)B와 E사이에는 순방향 전압을, B와 C사이에는 역방향 전압을 걸어준다.* $V_{CB}$는 $V_{BE}$ 보다 커야한다 case1) NPN typeE와 B 사이에서 전자가 계속 머무를 것 같지만.. 이전 1 2 3 4 5 다음
